三星电子8层版本的HBM3E存储芯片通过英伟达测试
快讯
2024年08月07日 08:43 42
admin
据报道，三星电子第五代HBM3E存储芯片的8层版本已经通过英伟达的测试。
三星电子和英伟达尚未就8层HBM3E存储芯片签署供应协议，但很快就会签署；预计第四季度开始供应。
12层版本的HBM3E存储芯片尚未通过英伟达的测试。
相关文章
